Mit der beschleunigten Industrialisierung von Halbleitermaterialien der dritten Generation dringt Siliziumkarbid (SiC) dank seiner Kernvorteile wie hoher Leistungsdichte, hoher Druck- und Temperaturbeständigkeit sowie geringem Energieverbrauch zunehmend von traditionellen Hochtemperaturanwendungen in strategische Zukunftsbranchen wie die Halbleiterindustrie und die neue Energiewirtschaft vor. Als führendes Unternehmen im Bereich Siliziumkarbid seit 30 Jahren hat Shenyang Starlight Technology Ceramics den gesamten Prozess der chinesischen Siliziumkarbidindustrie von ihren Anfängen bis zu ihrem Wachstum begleitet und aktiv mitgestaltet. Durch fundiertes technisches Know-how und kontinuierliche Innovationen konnte das Unternehmen die grenzüberschreitende Ausweitung der Produktanwendungen erfolgreich realisieren und damit Maßstäbe für die Substitution von Halbleitermaterialien in China setzen. Die überlegenen Eigenschaften von Siliziumkarbidmaterialien bilden die Grundlage für Shenyang Starlights erfolgreiche grenzüberschreitende Erfolge. Mit einem Schmelzpunkt von bis zu 2730 °C behält es seine strukturelle Stabilität auch nach Langzeiteinsatz unter 1600 °C bei. Sein Wärmeausdehnungskoeffizient beträgt lediglich 4,0 × 10⁻⁶/K, und seine Wärmeleitfähigkeit liegt bei 120–150 W/(m·K). Dadurch eignet es sich ideal für die anspruchsvollen Bedingungen der Halbleiterfertigung. Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Materialien zeichnet sich Siliziumkarbid durch hervorragende chemische Korrosionsbeständigkeit und geringe Partikelabgabe aus, was ihm unersetzliche Vorteile bei Präzisionsbearbeitungen wie der Waferherstellung verschafft. Im Kristallwachstumsprozess von 12-Zoll-Wafern hält die von unserem Unternehmen hergestellte Siliziumkarbid-Tiegelhalterung der hohen Temperaturen über 1400 °C stand und verhindert so das Erweichen und Verkippen des Quarztiegels. Bei Schneid-, Schleif- und anderen Prozessen ermöglichen Siliziumkarbid-Keramikvorrichtungen und Schleifscheiben dank ihrer hohen Härte und geringen Verschmutzungseigenschaften die Kontrolle von Waferdickenfehlern im Mikrometerbereich und verbessern so die Chipausbeute signifikant. Dreißig Jahre intensiver technischer Entwicklung haben Shenyang Starlight den erfolgreichen Sprung vom traditionellen Hochtemperaturbereich in die Halbleiterindustrie ermöglicht. Bereits in den 1990er Jahren konzentrierte sich das Unternehmen auf die Grundlagenforschung und Entwicklung von Siliziumkarbidkeramik und erweiterte sein Produktportfolio schrittweise auf den gesamten Waferherstellungsprozess, um den stetig steigenden Anforderungen an die Materialeigenschaften in der Halbleiterindustrie gerecht zu werden. Heute umfasst das Siliziumkarbid-Sortiment des Unternehmens Kernkomponenten wie thermische Feldkomponenten für das Kristallwachstum, Führungsringe für das Schneiden und Polierpad-Träger. Diese Produkte ersetzen traditionelle Metalle und herkömmliche Keramikmaterialien bei der Herstellung von Hochspannungs- und Hochleistungshalbleiterbauelementen und lösen die Probleme der Branche, wie beispielsweise die Korrosionsanfälligkeit und die geringe Dimensionsstabilität herkömmlicher Materialien.Insbesondere bei der Herstellung von High-End-Bauelementen wie SiC-IGBTs stellen die vom Unternehmen bereitgestellten Siliziumkarbid-Substratträgermaterialien eine wichtige Voraussetzung für die Lokalisierung von Hochspannungsbauelementen über 18 kV in China dar.

Talent ist der zentrale Motor technologischer Innovation. Shenyang Starlight richtet die Weiterbildung seiner Mitarbeiter konsequent an den neuesten Branchentrends aus. Angesichts der rasanten technologischen Entwicklungen im Halbleiterbereich hat das Unternehmen ein kontinuierliches Schulungsprogramm etabliert. Branchenexperten halten Fachvorträge zu Themen wie Halbleitermaterialien der dritten Generation und 8-Zoll-/12-Zoll-Wafer-Verarbeitungstechnologien. Zudem werden technische Teams zusammengestellt, um die neuesten Fortschritte bei Niedertemperatur-Ohmschen Kontakten, Trench-Prozessen und weiteren Technologien zu erforschen. Durch den Austausch mit Forschungsinstituten und die Teilnahme an Branchenkonferenzen verfolgen die Mitarbeiter kontinuierlich die sich ändernde Nachfrage in Anwendungsbereichen wie Smart Grids und Elektrofahrzeugen und stellen so sicher, dass die Produktentwicklung eng an den Marktbedürfnissen ausgerichtet ist. Dieses duale Modell aus Technologieentwicklung und Talentförderung ermöglicht es dem Unternehmen, seine Wettbewerbsfähigkeit bei der Bewältigung der Herausforderungen der „letzten Meile“ großflächiger Siliziumkarbid-Bauelementeanwendungen zu sichern. Als Vorreiter bei der großflächigen Anwendung der Siliziumkarbidindustrie wird Shenyang Starlight weiterhin auf dreißig Jahren technologischer Erfahrung aufbauen und sich auf Materialinnovationen und Prozessoptimierung im Halbleiterbereich konzentrieren. Dabei hält das Unternehmen mit Branchentrends wie der Kommerzialisierung von 12-Zoll-Siliziumkarbidsubstraten und Anwendungen in Ultrahochspannungsbauelementen Schritt und unterstützt die autonome und kontrollierbare Entwicklung der chinesischen Halbleiterindustrie mit qualitativ hochwertigeren Produkten, während es gleichzeitig ein neues Kapitel im Blue-Ocean-Markt für Halbleitermaterialien der dritten Generation aufschlägt.