Wir arbeiten mit Fachleuten aus diesem Bereich zusammen, um die unbekannten Möglichkeiten von Siliziumkarbidmaterialien und die Entwicklung ihrer Anwendungen zu erkunden. Vor kurzem besuchten Professor Xie von der Tsinghua-Universität, Professor Ru von der Northeastern University sowie Dr. Wang und Dr. Tang vom Institut für Metallforschung der Chinesischen Akademie der Wissenschaften unser Unternehmen zur Zusammenarbeit und zum Austausch.

‌1. Akademisch-industrielle Synergie: Eine Brücke zwischen Theorie und Praxis‌

Der dreitägige technische Gipfel, der in unserem F&E-Zentrum abgehalten wurde, ermöglichte tiefgehende Diskussionen über die Überwindung langjähriger Herausforderungen bei der Kommerzialisierung von Siliziumkarbid. Professor Xie, ein Pionier auf dem Gebiet der keramischen Matrixverbundstoffe, teilte die neuesten Erkenntnisse seines Teams zur Korngrenzentechnik – ein revolutionärer Ansatz zur Verbesserung der Thermoschockbeständigkeit von Siliziumkarbid durch kontrollierte Kristallorientierung. "Durch die Ausrichtung von β-Siliziumkarbidkörnern entlang der kristallografischen Richtung" demonstrierte er durch Modellierung im atomaren Maßstab, "können wir die Bruchzähigkeit theoretisch um 40 % erhöhen, ohne die Wärmeleitfähigkeit zu beeinträchtigen."

Ergänzend zu diesem theoretischen Rahmen präsentierte Dr. Wang von IMR experimentelle Daten aus ihren Sinterversuchen bei ultrahohen Temperaturen von 2.500 °C. Ihr patentierter mehrstufiger Rekristallisationsprozess erreichte beispiellose Dichtewerte (≥99,2 % TD) und reduzierte gleichzeitig den Restsiliziumgehalt auf <0,3 % – entscheidend für die Minimierung von Hochtemperaturverformungen in Halbleiteranwendungen. Unser Produktionsteam erstellte sofort Prototypen dieser Parameter und beobachtete bei nachfolgenden CVD-Tests eine Verbesserung der Ebenheit der Waferträgerplatte um 15 %.

Der Beitrag von Professor Ru konzentrierte sich auf die industrielle Skalierbarkeit und befasste sich mit den historischen Kostenbarrieren bei der Herstellung von rekristallisiertem Siliziumkarbid. Das CFD-Modell (Computational Fluid Dynamics) seines Teams optimierte unsere Gasdiffusionsöfen und reduzierte den Argonverbrauch während der kritischen Rekristallisationsphase um 22 %. Unterdessen steigerten Dr. Tangs Oberflächenmodifizierungstechniken mithilfe plasmaverstärkter chemischer Ätzung erfolgreichRekristallisiert SiliziumkarbidDie Oxidationsbeständigkeitsschwelle von 1.400 °C bis 1.550 °C in oxidativen Atmosphären ist ein Durchbruch für Wärmeschutzsysteme in der Luft- und Raumfahrt.

‌2. Technische Überlegenheit der RSiC-Platten der nächsten Generation‌

‌2.1 Revolution im Wärmemanagement‌

Die kollaborativeRekristallisiert SiliziumkarbidPlatten erreichen jetzt eine Wärmeleitfähigkeit von 110–120 W/m·K (3× höher als Aluminiumoxid) mit einem perfekt ausgewogenen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) von 4,3×10⁻⁶/K. 

Wir fühlen uns zutiefst geehrt, dass alle Experten und Professoren unser Unternehmen um Rat gebeten haben. Seit seiner Gründung pflegt unser Unternehmen einen engen Austausch und eine enge Zusammenarbeit mit vielen Universitäten und Forschungsinstituten.

Wir hoffen, dass wir durch verstärkten Austausch und Zusammenarbeit unsere Entwicklung und Innovationen fortführen und die Branche zu Spitzenleistungen führen können.