Zeremonie zur Unterzeichnung der Projektkooperation

Die Liaoning·Shenyang "Frontier Technology of New Silicon Carbide Materials" Exchange Conference 2024, ein Meilenstein der Hochtechnologiebranche, fand am 21. September erfolgreich im Shenyang International Conference Center statt. Die Konferenz wurde gemeinsam von Shenyang Starlight Advanced Ceramics Co., Ltd. und der Materials Branch der Chinese Mechanical Engineering Society organisiert und zog über 300 Teilnehmer an, darunter führende Wissenschaftler, Ingenieure, Unternehmensleiter und politische Entscheidungsträger, um Innovationen und Kooperationsmöglichkeiten im Bereich Siliziumkarbidmaterialien zu erkunden.

‌Ein Nexus für die Zusammenarbeit zwischen Industrie und Wissenschaft‌

Als strategische Plattform zwischen Forschung und Kommerzialisierung umfasste die Veranstaltung Keynote-Vorträge, technische Workshops und Ausstellungen, in denen modernste SiC-Anwendungen vorgestellt wurden. Dr. Li Wei, Vorsitzender von Shenyang Starlight Advanced Ceramics, betonte in seiner Eröffnungsrede, dass Siliziumkarbid kein Nischenmaterial mehr ist – es ist das Rückgrat der Industrien der nächsten Generation, von Elektrofahrzeugen bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen. Diese Konferenz ist ein entscheidender Schritt, um Chinas F&E-Kapazitäten an die Anforderungen des globalen Marktes anzupassen.

Auf der Tagesordnung standen drei Schwerpunkte: Hochreine SiC-Kristallzüchtungstechniken, Kostengünstige Lösungen für die Massenproduktion und Neue Anwendungen in extremen Umgebungen. Professor Zhang Qiang von der Universität Tsinghua stellte insbesondere einen Durchbruch bei der Reduzierung der Defektdichte bei SiC-Wafer um 40 % vor. Dabei kam ein neuartiges epitaktisches Wachstumsverfahren zum Einsatz. Diese Entwicklung dürfte die Zuverlässigkeit von Leistungshalbleitern verbessern.

Auf dieser Konferenz haben wir mit vielen Institutionen eine strategische Zusammenarbeit vereinbart.

Beispielsweise hat unser Unternehmen mit der Stadtverwaltung Xinmin einen Vertrag zur Herstellung von Halbleiterstrukturteilen aus Siliziumkarbid unterzeichnet.

Silicon Carbide

Wir haben mit Südkorea eine Kooperationsvereinbarung zur Einführung und Entwicklung der CVD-Beschichtungs- und Halbleiterteilefertigungstechnologie unterzeichnet.

silicon carbide products

Unser Unternehmen hat außerdem erfolgreich einen Vertrag für das Neue Energieprojekt in der Provinz Liaoning unterzeichnet.

semiconductor silicon carbide structural parts

Gleichzeitig haben wir auch erfolgreich Anlagen zur chemischen Gasphasenabscheidung gekauft. Die erfolgreiche Unterzeichnung dieses Projekts bedeutet auch, dass wir bald in der Lage sein werden, einen geschlossenen Kreislauf der gesamten Industriekette zu bilden.

Silicon Carbide

Ich bin überzeugt, dass unsere Entwicklung mit der erfolgreichen Unterzeichnung dieser Projekte schneller und umfassender verlaufen wird. Dadurch entsteht nicht nur ein geschlossener Kreislauf für die gesamte industrielle Kette von Siliziumkarbidprodukten, sondern wir können unseren Kunden auch mit mehr Vertrauen bessere und qualitativ hochwertigere Siliziumkarbidprodukte anbieten. Ich hoffe, wir können gemeinsam an der Entwicklung arbeiten und Brillanz schaffen.


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