2025 Seminar zur Kristallwachstumstechnologie für Halbleiter der zweiten und dritten Generation

2025-07-14 11:21

Shenyang StarLight Advanced Ceramics Co., Ltd. glänzt beim Seminar zur Kristallzüchtung von Halbleitern der dritten Generation 2025

Shenyang StarLight Advanced Ceramics Co., Ltd., ein Pionier mit über drei Jahrzehnten Erfahrung in der Siliziumkarbid-Materialinnovation, nahm kürzlich am Seminar „Second & Third Generation Semiconductor Crystal Growth Technology 2025“ in Chengdu teil. Die Veranstaltung, an der sich weltweit führende Branchenführer und akademische Größen trafen, diente als zentrale Plattform für Wissensaustausch und technologische Zusammenarbeit.

silicon carbide

Drei Jahrzehnte SSiliziumkarbidFührung

Seit seiner Gründung im Jahr 1995 widmet sich StarLight der WeiterentwicklungSiliziumkarbid-basierte Lösungen, von hochreinen Keramikkomponenten bis hin zu hochmodernen Kristallwachstumssystemen. Auf dem Seminar betonte Dr. Zhou, Chief Technology Officer von StarLight: "Unsere 30-jährige Reise inSiliziumkarbidDurch die Verfeinerung sind wir nun in der Lage, kritische Herausforderungen bei der Kontrolle von Waferdefekten und dem Wachstum von Kristallen mit großem Durchmesser anzugehen – die wichtigsten Engpässe für Leistungsbauelemente der nächsten Generation.

Durchbrüche präsentieren

Das Unternehmen stellte seine neuesten Errungenschaften in zwei Bereichen vor:

  1. 8-Zoll-Gerät mit extrem geringer DefektdichteSiliziumkarbidSubstrate: Erreichen einer Mikrorohrdichte von <0,5 cm⁻² durch proprietäre Wärmefelddesigns.

  2. KI-gesteuerte Kristallüberwachung: Ein Echtzeit-Fehlererkennungssystem, das zusammen mit der Tsinghua-Universität entwickelt wurde und die Produktionsausschussrate um 37 % reduziert.

  3. Diese Innovationen lösten ausführliche Diskussionen mit Forschern des Microsystems Laboratory des MIT und des Advanced Ceramics Center der Universität Nagoya aus.

Gemeinsame Vision für Industrie 4.0

In Rundtischgesprächen schlugen StarLight-Ingenieure die Einrichtung einer frei zugänglichen Datenbank für Kristallwachstumsparameter vor – ein Konzept, das von Prof. Zhang (Electronic Science and Technology University) und Dr. Hiroshi Yamamoto (Sumitomo Electric) unterstützt wurde. Die Initiative zielt darauf ab, Forschungs- und Entwicklungszyklen durch den Austausch industrieller Daten zu beschleunigen.

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Zukunftsplan

Mit Blick auf die Zukunft kündigte StarLight folgende Pläne an:

  1. Investieren Sie 50 Millionen US-Dollar in die Erweiterung seinesSiliziumkarbidF&E-Campus (Shenyang) bis Q1 2026

  2. Starten Sie gemeinsame Entwicklungsprogramme mit 5 Herstellern von Halbleiterausrüstung

  3. Gastgeber des Global SiC Industrial Chain Summit 2026

CEO Wang schloss mit den Worten: „Dieses Seminar bekräftigt unser Engagement, akademische Forschung und industrielle Anwendungen zu verbinden. AlsSiliziumkarbidAngesichts der steigenden Akzeptanz in den Bereichen NEV und erneuerbare Energien sind wir bereit, die technologische Demokratisierung voranzutreiben.

Zum Abschluss der viertägigen Veranstaltung erhielt StarLight den Semiconductor Synergy Excellence Award für seine Beiträge zur Zusammenarbeit zwischen Industrie und Wissenschaft.



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