Am 13. Januar gab Wolfspeed einen wichtigen Meilenstein für die Branche bekannt: die erfolgreiche Herstellung von 300-mm-Einkristall-Siliziumkarbid-Wafern. Dank des branchenweit größten und grundlegendsten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Siliziumkarbid (mit über 2.300 erteilten und angemeldeten Patenten weltweit) treibt Wolfspeed die Weiterentwicklung der Siliziumkarbid-Technologie auf 300 mm voran und ebnet so den Weg für eine zukünftige großflächige Kommerzialisierung.

Dieser technologische Fortschritt markiert einen bedeutenden Fortschritt für Computerplattformen der nächsten Generation, immersive AR/VR-Systeme und fortschrittliche Leistungselektronik. Durch die Skalierung von Siliziumkarbid auf 300 mm erschließt Wolfspeed neue Leistungsgrenzen und ermöglicht eine skalierbare Fertigung für die anspruchsvollsten Halbleiteranwendungen weltweit.

Wolfspeeds Technologiechefin Elif Balkas erklärte: „Die Herstellung von 300-mm-Einkristall-Siliziumkarbid-Wafern ist ein bedeutender technologischer Erfolg und das Ergebnis jahrelanger gezielter Innovation in den Bereichen Kristallzüchtung, Ingot- und Waferverarbeitung. Diese Errungenschaft versetzt Wolfspeed in die Lage, die transformativsten Technologien der Branche zu unterstützen, insbesondere Schlüsselelemente des KI-Ökosystems, immersive AR/VR-Systeme und andere fortschrittliche Anwendungen für Leistungshalbleiter.“

Die Wolfspeed-300-mm-Plattform vereint die Fertigung von Siliziumkarbid in hoher Kapazität für Leistungselektronik mit fortschrittlichen Fertigungsmöglichkeiten für hochreine, halbisolierende Substrate, die in optischen und HF-Systemen eingesetzt werden. Diese Integration ermöglicht eine neue Wafer-Level-Integration in den Bereichen Optik, Photonik, Thermik und Leistungselektronik.

Da KI-Workloads Rechenzentren an ihre Leistungsgrenzen bringen, wird der Bedarf an höherer Leistungsdichte, verbesserter Wärmeableitung und Energieeffizienz weiter steigen. Die 300-mm-Siliziumkarbid-Technologie von Wolfspeed ermöglicht die Integration von Hochspannungs-Stromversorgungssystemen, fortschrittlichen Kühllösungen und aktiven Verbindungen auf Wafer-Ebene und erweitert so die Systemleistung über die herkömmliche Transistor-Skalierung hinaus.

AR/VR-Systeme der nächsten Generation benötigen kompakte, leichte Konfigurationen mit hochauflösenden Displays, weiten Sichtfeldern und effizientem Wärmemanagement. Die einzigartigen Materialeigenschaften von Siliziumkarbid, wie mechanische Festigkeit, Wärmeleitfähigkeit und die Möglichkeit, den Brechungsindex zu steuern, machen es zur idealen Wahl für multifunktionale optische Architekturen.

Neben KI-Infrastruktur und AR/VR ist die Umstellung von Siliziumkarbid auf die 300-mm-Plattform ein wichtiger Schritt zur Skalierung der Produktion fortschrittlicher Leistungshalbleiter. Größere Waferdurchmesser verbessern die Fähigkeit, die steigende Nachfrage nach Anwendungen wie Hochspannungsnetzen und industriellen Systemen der nächsten Generation kosteneffizient zu decken.

Poshun Chiu, Chefanalyst für Verbindungshalbleiter bei der Yole Group, erklärte: „Der Durchbruch bei 300 mm ist nicht nur ein technischer Meilenstein, sondern eröffnet Siliziumkarbid als strategischem Werkstoff auch neue Möglichkeiten. Er zeigt, dass Siliziumkarbid die nächste Stufe der Fertigungsreife erreicht, die für die Elektrifizierung, Digitalisierung und das KI-Zeitalter im kommenden Jahrzehnt erforderlich ist. Dies bietet dem Markt einen verlässlichen Fahrplan für höhere Ausbeuten, bessere Wirtschaftlichkeit und langfristige Versorgungssicherheit.“