Am 31. Dezember 2024 hat Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., eine Tochtergesellschaft der China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., laut der China Electronic Materials Industry Association kürzlich erfolgreich ein 12 Zoll (300 mm) großes, hochreines, halbisolierendes Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat entwickelt und gleichzeitig erfolgreich ein 12 Zoll großes N-Typ-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat entwickelt.

In Bezug auf den Kapazitätsaufbau hat das Shuoke Crystal Silicon Carbide Phase II-Projekt im Oktober 2024 die Fertigstellungsabnahme bestanden und damit den offiziellen Produktionsstart des Projekts markiert. Der Abschluss des Phase-II-Projekts wird Shuoke Crystal voraussichtlich zusätzlich 200.000 6-8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrate pro Jahr bringen, darunter 200.000 N-Typ-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrate pro Jahr und 25.000 hochreine Substrate pro Jahr.

In Bezug auf den 8-Zoll-Fortschritt entwickelte Shuoke Crystal im August 2021 8-Zoll-Siliziumkarbidkristalle und erreichte im Januar 2022 die Produktion von 8-Zoll-N-Typ-Siliziumkarbid-Polierwafern im kleinen Maßstab. Die Vergrößerung der Wafergröße bedeutet, dass auf jedem Wafer mehr Chips hergestellt werden können, was die Produktionseffizienz verbessert. Dies reduziert nicht nur die Produktionskosten eines einzelnen Chips, sondern optimiert auch die Gesamtherstellungskosten. Daher sind großformatige Wafer wirtschaftlicher und bringen den Herstellern größere Wettbewerbsvorteile.

Derzeit sind großformatige Wafer ein gängiges Ziel der großen Hersteller geworden. Neben Shuoke Crystal hat Tianyue Advanced am 13. November 2024 ein 12-Zoll-N-Typ-Siliziumkarbid-Substratprodukt auf den Markt gebracht, was bedeutet, dass die Siliziumkarbidindustrie offiziell in die Ära der ultragroßformatigen Siliziumkarbid-Substrate eingetreten ist. Obwohl sich der Bereich der Siliziumkarbid-Substrate derzeit von 6 Zoll auf 8 Zoll wandelt, ist die zukünftige Entwicklung auf 12 Zoll sehr gut absehbar.